СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Исходные данные
Проектирование и расчет
Описание работы схемы и назначение ее элементов
Спецификация элементов
Список литературы
Введение
Полупроводниковые преобразователи электрической энергии
Устройства силовой электроники представляют собой очень широкую и быстро развивающуюся область техники. Одним из важнейших объектов изучения в данной области является полупроводниковый преобразователь электрической энергии.
Полупроводниковый преобразователь является основным элементом источников вторичного электропитания, используется в системах электропривода, автотранспорта, связи, в компьютерной и бытовой технике.
В общем виде преобразователем электрической энергии является устройство, которое связывает две (или более) электрические системы с отличающимися друг от друга параметрами и позволяет по заданному закону изменять эти параметры, обеспечивая обмен электрической энергией между связуемыми объектами.
Для преобразования электрической энергии совместно с полупроводниковым преобразователем могут использоваться другие виды преобразователей - трансформаторы, дроссели, конденсаторы.
Основными элементами полупроводникового преобразователя являются: выпрямитель, инвертор и силовой трансформатор.
Исходные данные
ДАНО:
Напряжение питания – U 1 = ± 5B± 10%(пост. тока)
Напряжение выходное – U н = ± 15B± 1%(пост. тока)
Мощность нагрузки – P н = 10Вт
Допустимая амплитуда пульсаций – к п = 0,05
ВОПРОСЫ:
ГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ:
Принципиальная электрическая схема.
Проектирование и расчет
Схема преобразователя.
На рис. 1 показана схема двухтактного преобразователя с самовозбуждением с выходом на постоянном токе.
Схема содержит работающие в ключевом режиме транзисторы VT1 и VT2, трансформатор TV, магнитопровод которого выполнен из материала с прямоугольной петлей гистерезиса (рис. 2.), выпрямительный мост VD и конденсатор С, сглаживающий пульсации напряжение на нагрузке.
Трансформатор TV имеет три обмотки: первичную (коллекторную W1), вторичную W2 и базовую W Б . Первичная и базовая обмотки выполнены из двух полуобмоток с выведенной средней точкой.
Выбор и расчет элементов схемы.
Выбор частоты:
Одним из важнейших параметров полупроводникового преобразователя является частота преобразования инверторного звена. Частота выбирается с учетом множества факторов, таких как необходимые массогабаритные показатели, простота схем управления, схем коммутации и других схемных решений, надежность, устойчивость к перегрузкам и т.п.
Повышение частоты работы преобразователей с 50Гц до нескольких десятков килогерц позволило резко уменьшить массогабаритные показатели устройства за счет уменьшения массы и габаритов силового трансформатора, а также массы и габаритов конденсаторов и дросселей.
В тоже время излишнее повышение частоты преобразования приводит к целому ряду отрицательных последствий. Возрастают потери в ключевых элементах за счет увеличения доли динамических потерь, растут потери в стали магнитопровода трансформатора. На высокой частоте начинают проявляться такие негативные явления, как паразитные индуктивности и емкости соединительных проводов, возникает необходимость учитывать эффект вытеснения тока в обмотках трансформаторов и дросселей.
Таким образом, повышение частоты преобразования полупроводникового преобразователя является действенным способом понижения их массогабаритных показателей.
Исходя из вышеописанного, для расчета данной схемы (двухтактного преобразователя) целесообразно задаться частотой 20кГц.
Частота преобразования напряжения – f = 20 кГц.
Выбор материала и конструкции магнитопровода трансформатора:
Наиболее важными характеристиками материала магнитопровода высокочастотного трансформатора являются удельные потери мощности в материале магнитопровода и значение индукции насыщения B s .
В качестве материала высокочастотных трансформаторов (до сотен кГц) в настоящее время могут быть использованы ферриты.
Ферриты обладают низкими значениями удельных потерь, приемлемыми значениями индукции насыщения (B s < 0,4 Тл) и высокой магнитной проницаемостью.
Для данной частоты (20 кГц) рекомендуется выбрать сердечник типа К из феррита марки 2000НМ3.
Расчет выпрямителя с активно-емкостной нагрузкой:
Схема выпрямителя – однофазная мостовая (m = 2).
Определяем ориентировочные значения коэффициентов B и D для m = 2:
B = 0,9; D = 2,15.
Максимальное выпрямленное напряжение U н max = 15,15В.
Ориентировочно определяем параметры однофазной мостовой схемы при работе на активно-емкостную нагрузку (ток нагрузки - I н = P н /U н = 0,66А):
U обр = Ц ` 2ВU н max = Ц ` 2*0,9*15,15 = 19,28В
I пр ср = 0,5I н = 0,5*0,66 = 0,33А
I пр = 0,5DI н = 0,5*2,15*0,66 = 0,71А
S тр = 0,707DBP н = 0,707*2,15*0,9*10 = 13,68Вт
U обр – обратное напряжение вентиля (В), I пр ср , I пр , I пр m – действующее и амплитудное значение тока вентиля (А), S тр – габаритная мощность трансформатора (Вт),
По вычисленным значениям U обр и I пр ср выбираем диодную сборку типа “КЦ412А” , для которых U обр = 50В > 19,28В; I пр ср max = 1А > 0,33А; 1,57 I пр ср max = 1,57А > 0,72А; U пр = 1,2В.
Определяем сопротивление вентиля в прямом направлении r пр (Ом):
r пр = U пр /I пр ср = 1,2/0,33 = 3,64Ом.
Определяем сопротивление обмоток трансформатора r тр (Ом):
r тр = k r U н 4Ц SfB s /Р н /I н fB s = 3,5*15* 4Ц 20000*0,2/10 /0,66*20000*0,2 = 52,5*4,474/2640 = 52,5/11811,36 = 0,09Ом,
при k r = 3,5; S = 1.
k r – коэффициент, зависящий от схемы выпрямления; S – число стержней трансформатора, на которых помещены его обмотки.
Сопротивление фазы r (Ом):
r = r тр +2r пр = 0,09+2*3,64 = 7,37Ом.
Определяем коэффициент А:
A = I нp r/mU н = 0,66*3,14*7,37/2*15= 0,51
По коэффициенту А определяем коэффициенты:
В = 1,25; D = 1,9; F = 4,8.
Определяем параметры трансформатора и вентелей:
U 2 , I 2 – напряжение и ток вторичной обмотки трансформатора; I 1 , U 1 - напряжение и ток первичной обмотки трансформатора.
Е 2 = U 2 = BU н = 1,25*15 = 18,75В
I 2 = 0,707DI н = 0,707*1,9*0,66 = 0,89А
Е 1 = U 1 = 5В
I 1 = 0,707DI н U 2 /U 1 = 0,707*1,9*0,66*18,75/5= 3,32А
S 2 = S 1 ’ = S тр ’ = 0,707BDP н = 0,707*1,25*1,9*10 = 16,79Вт
I пр = 0,5DI н = 0,5*1,9*0,66 = 0,63А < 1,57 I пр ср max = 1,57А
U обр = Ц ` 2ВUн max = Ц ` 2*1,25*15,15 = 26,78В
I пр m = 0,5FI н = 0,5*4,8*0,66 = 1,58А
Таким образом, выбранная предварительно диодная сборка типа “КЦ412А” пригодна для работы в схеме выпрямления.
Определяем при А = 0,51 коэффициент Н = 88
Определяем емкость конденсатора С (мкФ):
С = Н/ к п r = 88/0,05*7,37 = 238,81 мкФ
Выбираем конденсатор типа “К 50-20” на номинальное напряжение 25В номинальной емкости 500мкФ.
Уточняем величину пульсаций к п = Н/ Сr = 88/500*7,37 = 0,02, т.е. пульсация менее заданного значения.
Расчет трансформатора и остальных элементов схемы:
1. Для расчета необходимо задаться КПД трансформатора - h , значениями электромагнитных нагрузок: магнитной индукции - B s (Тл) и плотностью тока в обмотках - j(А/мм 2 ), коэффициентом заполнения медью магнитопровода - к o , коэффициентом заполнения сталью/сплавом сечения магнитопровода - к с , коэффициентом длительности импульса - к ф . Значения вышеперечисленных расчетных данных примем по рекомендациям для данного типа сердечника:
S рас = 1/2Ц ` 2h [ 2(1+Ц ` 2h )Р н] = 0,601*44,042 = 26,469 Вт
3. Для выбора типоразмера магнитопровода следует рассчитать произведение, где S c - площадь поперечного сечения стержня трансформатора, S o - площадь окна магнитопровода:
S c S o = S рас 10 2 /2к ф fBjk c k o = 2646,9/2*20*10 3 *0,2*12,5*0,13 = 0,2036 см 4 .
Ближайшее, большее к расчетному значение S c S o – 0,271 см 4 .
По нему выбираем типоразмер магнитопровода: К 20ґ 10ґ 6
b a d
D
Размеры магнитопровода К 20ґ 10ґ 6:
a = 5 мм, b = 6 мм, d = 10 мм, D = 20 мм.
Средняя длина магнитной силовой линии l c = 5,03см.
Масса магнитопровода G ст = 6,7г.
Площадь окна магнитопровода S o = 1,13см 2 .
Площадь поперечного сечения стержня трансформатора S c = 0,24см 2 .
Р ст = Р уд G ст , где Р уд – удельные потери в 1 кг материала магнитопровода при нормированных значениях магнитной индукции и частоты (Вт/кг);
Р уд = 30 Вт/кг, G ст = 6,7г = 0,0067кг.
Р ст = 30*0,0067 = 0,201 Вт.
4. Число витков первичной вторичной и базовой обмоток трансформатора:
w 1 = U 1 (1-0,5D U)10 4 /4k ф fB s S c k c
w 2 = U 2 (1+0,5D U)10 4 /4k ф fB s S c k c
w б = U б (1+0,5D U)10 4 /4k ф fB s S c k c
D U - относительное изменение напряжения на выходе трансформатора (В)
D U = 0,035 B.
w 1 = 5*(1-0,5*0,035)* 10 4 /4*20000*0,2*0,24 = 49125/3840 = 12,79 ” 13
w 2 = 18,75*(1+0,5*0,035)* 10 4 /4*20000*0,2*0,24 = 190781,25/3840 = 49,68 ” 50
w б = 4*(1+0,5*0,035)*10 4 /4*20000*0,2*0,24 = 40700/3840 = 10,59 ” 11
(U б = 4* U бэ нас = 4В, т.к. U бэ нас = 1В)
I 0 = Ц I 2 0p + I 2 0a = 0,123А,
где I 0a - действующее значение активной составляющей тока холостого хода (А),
I 0a = Р ст / U 1 *(1- 0,5*D U) = 0,201/5*(1-0,5*0,035) = 0,201/4,9125 =0,041А
а I 0p - действующее значение реактивной составляющей тока холостого хода (А),
I 0p = Ц ` 2Нl c *10 -2 /w 1 = Ц ` 2*40*0,0267/13 = 1,51/13 = 0,116А
где Н – эффективное значение напряженности магнитного поля (А/м),
Н = 40А.
6. Действующее значение тока первичной обмотки трансформатора - I 1 (А); расчет транзисторов и резисторов:
I 1 = Ц 0,5*(2*( I б *w б /w 1 ) 2 +(I 2 *w 2 /w 1 ) 2 +I 0 2 ) = Ц 0,5*(2*(0,969*11/13) 2 + (0,89*50/13) 2 + 0,0151) = Ц 13,077 = 3,616А
Где I 2 - тока вторичной обмотки трансформатора (А),
I 2 = 0,89А,
I б - тока базовой обмотки трансформатора (А),
I б = I б нас /Ц ` 2 = 1,37/Ц ` 2 = 0,969А,
I б нас – ток базы, необходимый для насыщения транзистора (А),
I б нас = I к нас *k нас /h 21 э min = 9,82*1,4/12 = 1,37А,
k нас – минимальный коэффициент насыщения транзистора,
I к нас – значение тока коллектора открытого транзистора,
h 21 э min – минимальный коэффициент передачи тока.
Принимаем
k нас = 1,4
I к нас = U 2 *I 2 /h ( U 1 min – U кэ нас ) = 18,75*0,89/0,85*(4,5-2,5) = 16,69/1,7 = 9,82А
U кэ нас = 2,5В
U кэ max – максимальное напряжение на закрытом транзисторе преобразователя (В),
U кэ max = 2,4* U 1 max = 2,4*5,5 = 13,2В
По значениям тока I к нас и напряжения U кэ max из справочника выбираем тип транзистора и определяем его основные параметры:
Выбираем транзистор марки “КТ 805 А”
U кэ max = 160В
I к max = 5А
P к max = 15Вт
h 21 э = 15
I с max = 150А
f гр = 20Мгц
Проверяем, не превышает ли максимально допустимый ток коллектора выбранного транзистора значение I к max .
I к max = I к нас *k нас * h 21 э max /h 21 э min = 9,82*1,4 = 13,75А
Определяем значение мощности Р к (Вт), рассеиваемой транзистором преобразователя:
Р к = 0,5* U кэ нас * I к нас + U 1 max * I к max *t т *f*к д = 0,5*2,5*9,82+5,5*13,75*7,96*10 -9 *20*10 3 *0,5 = 12,275 + 0,006 = 12,281Вт
Коэффициент динамических потерь - к д = 0,5
t т = 1/(2*p *f гр ) = 7,96*10 -9
Сопротивление резисторов R б (Ом):
R б = (U б - U бэ нас )/ I б нас = (4-1)/1,37 = 2,19 Ом
Выбираем постоянный непроволочный резистор марки “С2-13-025”, пределы сопротивления которого от 1 Ом до 1Мом, наибольшее рабочее напряжение – 250В.
7. Поперечные сечения проводов первичной, вторичной и базовой обмоток:
q’ 1 = I 1 /j = 3,616/12,5 = 0,2893 мм 2
q’ 2 = I 2 /j = 0,89/12,5 = 0,0712 мм 2
q’ б = I б /j = 0,969/12,5 = 0,07752 мм 2
Выбираем обмоточный провод круглого поперечного сечения марки ПЭВ – 1.
Поперечное сечение:
q 1 = 0,1886 мм 2
q 2 = q б = 0,06605 мм 2
Диаметры проводов без изоляции:
d 1 = 0,49 мм
d 2 = d б = 0,29 мм
Диаметры проводов с изоляцией:
d и1 = 0,53 мм
d и2 = d иб = 0,33 мм
Уточняем плотность тока в обмотках:
j 1 = I 1 / q 1 = 3,616/0,1886 = 19,17 А/мм 2
j 2 = I 2 / q 2 = 0,89/0,06605 = 13,47 А/мм 2
j б = I б / q б = 0,969/0,06605 = 14,67 А/мм 2
Средняя плотность тока в обмотках:
j = 4Ц j 1 * j 2 * j б ” 7,2106 А/мм 2
Среднее значение высоты (длины) намоточного слоя первичной обмотки h об 1 (мм):
h об 1 = (p /2)*[ 3*(d/2-d г )+d ост /2] = 1,57*(3*(5-0,5)+1,55) = 23,6285 мм
d ост – остаточный диаметр = 3,1 мм
d г – толщина изоляции магнитопровода = 0,5 мм
Число витков в одном слое первичной обмотки w сл 1 при k у = 0,75:
w сл 1 = h об 1 *k у /d и1 = 23,6285*0,75/0,53 = 33,4365
Число слоев первичной обмотки n сл 1 :
n сл 1 = w 1 / w сл 1 = 13/33,4365 = 0,389 ” 1
Радиальный размер первичной обмотки катушки d 1 (мм):
d 1 = 1,2* n сл 1 *d и1 = 1,2*1*0,53 = 0,636мм
Внутренний диаметр после намотки первичной обмотки d вн 1 (мм):
d вн 1 = d –2d 1 = 10-1,272 = 8,728мм
Средняя высота слоя базовой обмотки h об б (мм):
h об б = p [ d вн 1 –d б пр] = 3,14*[ 8,728–1,272] = 23,412 мм
Радиальный размер базовой обмотки катушки d б пр (мм):
d б пр = (d 1 *S б )/S б* = (0,636*7,752)/3,876 = 1,272 мм
Расчетная габаритная мощность базовой обмотки S б (Вт):
S б = 2 U б I б = 2*4*0,969 = 7,752 Вт
Расчетная мощность базовой обмотки S б (Вт):
S б* = U б I б = 4*0,969 = 3,876 Вт
Число витков в одном слое базовой обмотки w сл б при k у = 0,75:
w сл б = h об б *k у /d иб = 23,412*0,75/0,33 = 53,209
Число слоев базовой обмотки n сл б :
n сл б = w б / w сл б = 11/53,209 = 0,206 ” 1
Радиальный размер базовой обмотки катушки d б (мм):
d б = 1,2* n сл б *d иб = 1,2*1*0,33 = 0,396 мм
Средняя высота слоя вторичной обмотки h об 2 (мм):
h об 2 = p [ d вн 1 –d 2 пр] = 3,14*[ 8,728–1,272] = 23,412 мм
Радиальный размер вторичной обмотки катушки d 2 пр (мм):
d 2 пр = (d 1 *S 2 )/S 2* = (0,636*33,375)/16,688 = 1,272 мм
Расчетная габаритная мощность вторичной обмотки S 2 (Вт):
S 2 = 2 U 2 I 2 = 2*18,75*0,89 = 33,375 Вт
Расчетная мощность вторичной обмотки S 2 (Вт):
S 2* = U 2 I 2 = 18,75*0,89 = 16,688 Вт
Число витков в одном слое вторичной обмотки w сл 2 при k у = 0,75:
w сл 2 = h об 2 *k у /d и2 = 23,412*0,75/0,33 = 53,209
Число слоев вторичной обмотки n сл 2 :
n сл 2 = w 2 / w сл 2 = 50/53,209 = 0,94 ” 1
Радиальный размер вторичной обмотки катушки d 2 (мм):
d 2 = 1,2* n сл 2 *d и2 = 1,2*1*0,33 = 0,396 мм
Остаточный диаметр после намотки обмоток d ост (мм):
d ост = d – (d 1 + d б +d 2 ) = 10 – (0,636 + 0,396+0,396) = 8,572 мм
9. Проверочный расчет трансформатора:
Средняя длина витка обмотки трансформатора l ср (мм):
l ср = 2*(a + b + p r ср )*10 -3 = 2*(5 + 6 + 3,14*0,318)* 10 -3 =0,024 мм
а = (D – d)/2 = (20-10)/2 = 5 мм
r ср = d 1 /2 = 0,636/2 = 0,318
Масса меди всех обмоток G м (г):
G м = G м1 + G м2 + G мб = 0,5242+0,7044+0,1291 = 1,3577 г
Масса меди первичной обмотки G м1 (г):
G м1 = w 1 * l ср *g 1 = 13*0,024*1,68 = 0,5242 г
Масса меди вторичной обмотки G м2 (г):
G м2 = w 2 * l ср *g 2 = 50*0,024*0,587 = 0,7044 г
Масса меди базовой обмотки G мб (г):
G мб = w б * l ср *g б = 11*0,024*0,587 = 0,1291 г
Коэффициент заполнения окна магнитопровода медью k 0 :
k 0 = (q 1 * w 1 + q 2 * w 2 + q б * w б )*10 -2 /S 0 = (0,1886*13+0,06605*50+0,06605*11)* 10 -2 /1,13 = 0,065/1,13 = 0,058
Масса изоляции G из (г):
G из = (1 - k 0 )* G м * g из * k из / 8,9*k 0 = (1-0,058)*1,3577*0,7/8,9*0,058 = 0,895/0,5162 = 1,734 г
Удельная масса изоляции g из (г/см 3 ):
g из = 1 г/см 3
Коэффициент укладки изоляции k из :
k из = 0,7
Масса трансформатора G т (г):
G т = G м + G из + G ст = 1,3577 + 1,734 + 6,7 = 9,7917 г
Активное сопротивление обмоток при максимальной температуре окружающей среды:
r 1 = w 1 * l ср *k t * k j / 57*q 1 = 13*0,024*1,24/57*0,1886 = 0,3869/10,7502 = 0,0359
r 2 = w 2 * l ср *k t * k j / 57*q 2 = 50*0,024*1,24/57*0,06605 = 1,488/3,7649 = 0,3952
r б = w б * l ср *k t * k j / 57*q б = 11*0,024*1,24/57*0,06605 = 0,3274/3,7649 = 0,0869
Коэффициент, учитывающий увеличение удельного сопротивления меди с повышением температуры:
k t = 1+0,004*(Т с +D Т-20) = 1+0,004*(30+50-20) = 1,24
k j = 1 (коэффициент увеличения сопротивления провода в зависимости от частоты тока питающей сети), Т с = 30° С (макс. Температура окружающей среды), D Т = 50° С (температура перегрева обмоток).
Относительное значение активной составляющей напряжения короткого замыкания U к.а :
U к.а = (I 1 /U 1 )*( r 1 * r 2 ’) = (2,58/5)*(0,0359+0,103) = 0,516*0,1389 = 0,0717
Приведенное к первичной обмотке, активное сопротивление вторичной обмотки:
r 2 ’ = r 2 *( w 1 / w 2 ) = 0,3952*(13/50) = 0,103
Относительное значение реактивной составляющей напряжения короткого замыкания U к.р :
U
к.р
= [ 2*p *m
0
*f* I
1
* w
1
2
/ U
1
*(D+2*d
2
)] *(d
1
+ d
б
+d
2
)/3* l
ср
2
/4 = [ 2*3,14*3,4*10
-7
*20000*3,616* 169/ 5*(20+0,792)] *1,428/3* 0,00058
/4 = 26,097/103,96*0,476*0,000145 = 17,33*10
-6
Магнитная постоянная m 0 (Гн/м):
m 0 = 4h *10 -7 = 3,4*10 -7 Гн/м
Относительное значение напряжения короткого замыкания U к :
U к = Ц U 2 к.а + U 2 к.р = 0,0717
Потери в меди обмоток:
Р м1 = I 1 2 * r 1 = 13,075*0,0359 = 0,469
Р мб = I б 2 * r б = 0,939*0,0869 = 0,0816
Р м2 = I 2 2 * r 2 = 0,7921*0,3952 = 0,313
Суммарные потери в меди всех обмоток:
Р м = Р м1 + Р м2 + Р мб = 0,469+0,0816+0,313 = 0,8636
Коэффициент полезного действия трансформатора:
h = 1-( Р м + Р ст )/ ( Р м + Р ст + Р н ) = 1-(0,8636+0,201)/(0,8636+0,201+10) = 1-0,096 = 0,904
10. Тепловой расчет трансформатора:
Температура перегрева обмоток относительно окружающей среды D Т:
D Т ” (Р м + Р ст )/ a m *S охл = (0,8636+0,201)/12*1214,03 = 1,0646/14568,384 = 73,08*10 -6
Коэффициент теплоотдачи трансформатора a m (Вт/м 2 *° С):
a m = 12 Вт/м 2 *° С
Общая поверхность охлаждения для тороидального трансформатора S охл :
S охл = [ p *(D+2d 1 + 2d б +2d 2 ) 2 -p *d 2 ост] /2+p *(D+2d 1 + 2d б +2d 2 )*b = 1214,03 м 2
Описание работы схемы и назначение ее элементов
Схема работает следующим образом. При открытом транзисторе VT1, напряжение источника питания приложено (если пренебречь относительно малым напряжением на открытом транзисторе) к первичной полуобмотке W1, и создает на базовых обмотках напряжение с полярностью, поддерживающей транзистор VT1 в открытом, а транзистор VT2 в закрытом состоянии.
Под действием напряжения, приложенного к первичной полуобмотке, магнитопровод трансформатора перемагничивается по участку 1-2 петли гистерезиса, резко возрастает его намагничивающий ток (ток коллектора VT1). При достижении коллекторным током значения I кмакс =B*I б , транзистор VT1 выходит из состояния насыщения, падение напряжения на нем увеличивается, а напряжение на всех обмотках трансформатора уменьшается. Последнее приводит к уменьшению коллекторного тока открытого транзистора. При этом рабочая точка движется по участку 3-2 петли гистерезиса, и напряжения на обмотках трансформатора меняют знак; транзистор VT1 закрывается, открывается транзистор VT2. После этого магнитопровод трансформатора перемагничивается по участку 2'-1' петли гистерезиса, и все процессы в схеме повторяются. Ток коллектора открытого транзистора складывается из приведенных к первичной обмотке тока нагрузки I Н' , базового I Б' . Так как петля гистерезиса прямоугольная, ток коллектора имеет прямоугольную форму со "всплеском" в конце полупериода.
Ток закрытого транзистора примерно равен обратному току коллектора. Напряжение на обмотках трансформатора имеет вид симметричных импульсов прямоугольной формы. Напряжение на нагрузке постоянно. Максимальная магнитная индукция в трансформаторе равна индукции насыщения Bs материала магнитопровода. В течение полупериода индукция в трансформаторе изменяется по линейному закону от -B S до +B S .
Принцип действия двухтактного преобразователя напряжения
Двухтактные преобразователи с насыщающимся трансформатором используются как задающие генераторы для усилителей мощности и автономные маломощные источники электропитания. Их основные достоинства – простота схемы, а также нечувствительность к коротким замыканиям в цепи нагрузки. При коротком замыкании в цепи нагрузки срываются автоколебания преобразователя и транзисторы закрываются. Недостатком преобразователей с насыщающимся трансформатором является наличие выбросов коллекторного тока в момент переключения транзисторов, что ведет к увеличению потерь в преобразователе.
Спецификация элементов
|
N |
Обозначение |
Наименование |
Кол-во |
Примечание |
|
1 |
Транзисторы VT1 и VT2 |
КТ 805 А |
2 |
биполярные транзисторы p-n-p. U кэ max = 160В; I к max = 5А; P к max = 15Вт |
|
2 |
Магнитопровод трансформатора TV |
К 20ґ 10ґ 6 |
1 |
феррит марки 2000НМ3; средняя длина магнитной силовой линии l c = 5,03см; масса G ст = 6,7г |
|
3 |
Обмоточный провод трансформатора TV
|
ПЭВ – 1 номинального диаметра без изоляции: 0,49 мм и 0,29 мм |
2 |
круглого поперечного сечения: 0,1886 мм 2 и 0,06605 мм 2 диаметры проводов с изоляцией: 0,53 мм и 0,33 мм |
|
3 |
Резисторы R б |
С2-13-025 |
2 |
пределы сопротивления которого от 1 Ом до 1Мом, наибольшее рабочее напряжение – 250В |
|
4 |
Выпрямительный мост VD |
КЦ412А |
1 |
средний выпрямляющий ток 1А; U обр max = 50В |
|
5 |
Конденсатор С н |
К 50-20 |
1 |
номинальное напряжение 25В номинальной емкости 500мкФ. |
Список используемой литературы
Ссылки в интернет